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(弘前大学大学院理工学研究科教授 小林 康之氏)
第258 回応用セラミックス研究所講演会【第20回先端無機材料講演会】
(弘前大学大学院理工学研究科教授 小林 康之氏)
開催日時 2013/11/20 15:00-
開催場所 東工大 すずかけキャンパス すずかけホール集会室2
主催応用セラミックス研究所
連絡先須崎 友文 准教授(5360)

プログラム等

第258回応用セラミックス研究所講演会

講師: 小林 康之 (弘前大学大学院理工学研究科電子情報工学コース 教授)

講演テーマ: 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写

講演概要: 窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースとするこれらのデバイス構造は、サファイア基板、SiC基板、シリコン基板上に成長できるが、多結晶やアモルファス等の大面積、安価、またフレキシブルな基板上に直接成長させることは困難である。今回、我々は、サファイア基板上に成長した六方晶窒化ホウ素(h-BN)がGaN系デバイス構造を他の基板へ機械的転写する際の剥離層として機能することを報告する[1]。GaN系デバイス構造は、MOVPEにより、h-BN超薄膜層上のAlN層もしくはAlGaN層上に、平坦なウルツ鉱GaN薄膜を単結晶成長できることを利用して作製した。サファイア基板上h-BN剥離層上に成長した5mm角から2cm角の大きさのAlGaN/GaNヘテロ構造とInGaN多重量子井戸構造は、サファイア基板から機械的に剥離され、他の基板に転写された。[1] Y. Kobayashi, K. Kumakura, T. Akasaka, and T. Makimoto, Nature, Vol. 484, pp.223-227, 2012.

 

 

 

 

 

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