拝啓 時下、ますますご清祥のこととお喜び申し上げます。
平素より、東京工業大学 フロンテイア創造共同研究センター及び細野・神谷研究室の研究活動に対し、ご指導ご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。
さて、私どもが独自に開発した「透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ）」は、アモルファスシリコンに比較して、電子特性、安定性に優れ、かつ低温での成膜が可能な特徴を持っており、次世代のフレキシブルエレクトロニクスの中核を担う材料系として大きなポテンシャルを有しています。２００４年１１月に、Nature誌に「透明で曲がるＴＡＯＳを活性層としたＴＦＴ」を発表して以来、わずか２年未満の間に、米国DARP、EU などの資金によるTAOSに関する基礎研究が、複数の大学・研究機関で立ち上がりつつあります。また、内外の先端技術企業に於いても、TAOS-TFTを平面デスプレイに応用する研究開発がスタートしています。海外の学会では、２００５年９月のICANS-21で、TOASが新しい有望な分野として、はじめてトッピクスに取り上げられ、同年１２月の米国MRSでは、１０件程度の論文発表がなされました。さらに、２００６年６月の欧州MRSでは、「透明エレクトロニクス」と題したシンポジウムが開催され、１８０件以上の論文が発表されています。また、２００７年のSDIでは、TAOSがプレナリー講演として取り上げられる予定となっています。
こうした状況に鑑み、１１月２２日（水）、東京工業大学すずかけ台キャンパス すずかけ台ホールにおきまして、国際シンポジウム 「ＴＡＯＳ ２００６」を開催し、この分野の研究開発に携わる内外の研究者を一同に会し、ＴＡＯＳの現状を把握し将来を展望する機会といたしたいと存じます。つきましては、同シンポジュウムにご参加頂き、ご意見、ご批判を頂ければ幸に存じます。また、１１月２２日（水）のシンポジウム終了後、１７時３０分より、懇親会を開きますので、ご出席頂きますよう併せてお願い申し上げます。
なお、お手数ですが、ご出席の有無を１１月１５日までにお知らせ頂くようお願い申し上げます。
会場の都合から、先着１５０名様を受け付けさせて頂きます。なお、受け付けさせて頂いた場合にも、その旨のご連絡を省略させて頂きますので、ご了解ください。
シンポジュウムに参加を希望される方は、参加申込書に必要事項を記載の上、シンポジュウム事務局にＦＡＸ（０４５−９２４−５１２７）にてお申込みください。
apprication_form.pdf
敬具
２００６年１０月
東京工業大学フロンテイア創造共同研究センター 教授
ＴＡＯＳ ２００６ 組織委員長
細野秀雄
日時
２００６年１１月２２日(水) ９：３０〜
場所
東京工業大学 すずかけ台キャンパス すずかけホール
プログラム＆アブストラクト
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(2006/11/21更新しました)。
主催
東京工業大学 フロンテイア創造共同研究センター
共催
科学技術振興機構
ナノテクノロジー総合支援プロジェクトセンター
東京工業大学 応用セラミックス研究所
組織委員会
委員長 細野秀雄（東京工業大学・科学技術振興機構）
神谷利夫（東京工業大学）
雲見日出也（キャノン株式会社）
事務局 平野正浩（科学技術振興機構・東京工業大学）
落合賀奈子（科学技術振興機構）