■ 電子デバイス/ 新しい非酸化SiC/SiO2界面形成法によるSiC-MOSデバイスの高品質化【プレス発表】
■ 電子デバイス/ SiCの伝導帯に現れる特異な電子状態：floating stateの発見
■ 電子デバイス/ SiC/SiO2界面における非従来型の新規界面欠陥の理論的提案
■ 電子デバイス/ SiC/SiO2界面における炭素ダングリングボンドの同定
■ 電子デバイス/ SiC/SiO2界面におけるリン界面処理法の微視的メカニズム解明
■ 電子デバイス/α-Ga2O3中の点欠陥の安定性解明
■ 光デバイス/ SiC/SiO2界面における単一光子光源の発光波長揺らぎの解明
電子デバイス/ 新しい非酸化SiC/SiO2界面形成法によるSiC-MOSデバイスの高品質化【プレス発表】
酸化をしないSiC/SiO2界面の形成法を提案.
熱酸化途中に生じる炭素欠陥を理論計算により予言し、それらを生じさせない酸化膜形成法を提案.
SiC/SiO2界面特性を従来技術に対し10倍改善することに成功し、SiC-MOSデバイスのコストを数分の1に.
(Appl. Phys. Express 13, 091003 (2020). J. Appl. Phys. 125, 125701 (2019). J. Appl. Phys. 126, 145302 (2019). Jpn. J. Appl. Phys. 57, 125701 (2018).)
電子デバイス/ SiCの伝導帯に現れる特異な電子状態：floating stateの発見
次世代パワー半導体として知られているSiC（炭化ケイ素）の伝導帯に連続状態に由来した特異な電子状態(floating state)を発見.
Floating stateを考慮することにより、長年の謎であったSiCのバンドギャップの多形依存性を定量的に説明.
(Physical Review Letters 108, 246404 (2012)., Physical Review Letters 112, 136403 (2014).)
電子デバイス/ SiC/SiO2界面における非従来型の新規界面欠陥の理論的提案
SiC/SiO2界面において、欠陥などがなくても生じる新規界面欠陥を発見.SiCの積層構造がどこで途切れるかによって生じる新しい欠陥の提案. (Nano Letters 17, 6458 (2017).)
電子デバイス/ SiC/SiO2界面における炭素ダングリングボンドの同定
EDMR測定により、界面に炭素ダングリングボンド界面欠陥が存在していることが報告.
その正体が炭素アドアトムであることを理論計算により解明. (Applied Physics Express 116, 071604 (2020).)
電子デバイス/ SiC/SiO2界面におけるリン界面処理法の微視的メカニズム解明
SiC/SiO2界面において、リン(P)を用いた界面処理が有効であることが知られているが、その微視的メカニズムは謎.
理論計算により、SiO2膜中に取り込まれたリンに、界面から放出される炭素元素を吸着する効果があることを発見.
リンは界面に存在する残留炭素欠陥を除去する効果があるものと考えられる. (Applied Physics Express 11, 121301 (2018).)
電子デバイス/ α-Ga2O3中の点欠陥の安定性解明
次世代パワー半導体として注目されているα-Ga2O3の点欠陥安定性を高精度第一原理計算により評価.
(Applied Physics Express 12, 091001 (2019).)
光デバイス/SiC/SiO2界面における単一光子光源の発光波長揺らぎの解明
SiC/SiO2界面において現れる単一光子光源の発光波長が揺らぐ物理的原因を理論計算から解明.
(Applied Surface Science 464, 451 (2019).)