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締切は10/19(金)となっております。当日まで登録を受け付けますので、是非お越し下さい。

プログラム

プログラム

1.日時： 平成30年10月26日（金）　13：00～17:00頃

2.場所：　東京工業大学すずかけ台キャンパス R3棟 1F会議室
3.参加費：　無料
4.開催案内：　 PDF(構内地図あり)

5.プログラム

1) 13:00～13:05　「はじめに」 総合司会： 井手　啓介 (東工大)

2) 13:05～13:35 「アモルファス酸化物半導体の欠陥と欠陥制御に基づく新規応用の開拓」:
　 　　　　　　東京工業大学　助教　井手　啓介先生 (30分)

3) 13：35～14:05 「原子層堆積Al₂O₃膜の酸化物半導体ゲート絶縁膜への応用」
　 　　　　　　早稲田大学　教授　平岩　篤先生 (30分)

4) 14:05～14:35　「プラズマアシスト反応性プロセスを用いた低温での高移動度薄膜トランジスタの作製」
　 　　　　　　大阪大学　助教　竹中　弘祐先生 (30分)

14:35～14:50 休憩

5) 14:50～15:20　「高性能酸化物薄膜トランジスタとその新展開」
　 　　　　　　奈良先端科学技術大学院大学　教授　浦岡　行治先生 (30分)

6) 15:20～15:50　「スパッタ法を用いた酸化物半導体薄膜の作製およびTFT特性」
　 　　　　　　青山学院大学　助教 Junjun Jia　先生 (30分)

15:50～16:05 休憩

7) 16:05～16:35　「ヘテロチャネルIGZO TFTの特性・信頼性」
　 　　　　　　高知工科大学　教授　古田　守先生 (30分)

8) 16:35～17:05　「酸化物半導体デバイスのニューロモーフィック応用」
　 　　　　　　龍谷大学　木村 睦先生 (30分)

9) 17：05～17:10 「終わりに」 総合司会： 井手　啓介 (東工大)

以上

 

東京工業大学フロンティア材料研究所HP