酸化物半導体討論会
| 開催日時 | 2015年05月18日 10：00～17:30頃 |
|---|---|
| 開催場所 | 東工大すずかけ台キャンパス 元素戦略棟１Ｆ会議場 変更の可能性がございますので、参加登録いただいた方には、開催日前にメールでご連絡いたします。 |
| 主催 | 応用セラミックス研究所 |
| 連絡先 | 神谷利夫 教授 E-mail:tkamiya@msl.titech.ac.jp |
| 備考 | 【申込方法】事前参加登録を必須とさせていただきます。 １．申込ページにアクセスし、フォームにご記入の上、「登録： 確認ページへ」ボタンを押してください。 ２．確認ページが表示されますので、間違いがなければ、「登録」ボタンを押してください。 ３．ご登録いただいたEMailアドレスに、登録完了の確認メールが届きます。 以上で参加登録は完了していますので、当日はお名前と登録番号を受付にてお伝えください。 予定にご変更等あります場合は、 神谷利夫（tkamiya@msl.titech.ac.jp）までご連絡ください。 |
プログラム等
| 時間 | 講演テーマ | 講演者 |
| 10:00～10:05 | 「はじめに」 | 神谷 利夫 (東工大) |
| 10:05～10:35 | 「酸化物中の欠陥 (仮)」 | 神谷 利夫、雲見日出也、 細野秀雄 (東工大) |
| 10：45～11:10 | 「アモルファスIZO,IGZOの結晶化挙動 (仮)」 | 重里 有三、賈 軍軍、 須古 彩香 (青山学院大学) |
| 11:20～11:40 | 「酸化物半導体の酸素による欠陥準位」 | 井手 啓介、神谷 利夫、 雲見日出也、細野秀雄 (東工大) |
| 11:50～12:15 | 「新規酸化物半導体TFTの形成及び評価」 | 松田 時宜、木村 睦 (龍谷大学) |
| 12:15～13:30 | 昼食 | |
| 13:30～14:00 | 「フッ素によるIGZO薄膜トランジスタの欠陥終端と信頼性改善効果」 | 古田 守、Jingxin JIANG、 王 大鵬 (高知工科大学) |
| 14:10～14:40 | 「酸化物半導体TFTの信頼性向上技術」 | 浦岡 行治 (奈良先端科学技術大学院大学) |
| 14：50～15:10 | 「AOS 分析から見えてくること (仮)」 | 井上 敬子 (（株）東レリサーチセンター) |
| 15:10～15:40 | 休憩 | |
| 15:40～16:00 | 「プラズマ支援反応性スパッタ製膜プロセスによるIGZO薄膜デバイス低温形成」 | 節原裕一、陶山悠太郎、 中田 慶太郎、竹中弘祐、 内田 儀 一郎、江部明憲* (大阪大学接合科学研究所、 * 株式会社イー・エム・ディー) |
| 16:10～16:30 | 「大型スパッタカソードにおけるIGZO膜の均一性向上」 | 小林 大士 (株式会社アルバック) |
| 16：40～17:05 | 「AOSデバイスの新規回路・アプリケーション応用」 | 木村 睦 (龍谷大学) |
| 17：05～17:30 | 「総合討論」 | 総合司会： 神谷 利夫 (東工大) |
