高性能ＴＦＴに関する特許のライセンス契約をサムスン電子と締結（細野教授）
JST（理事長：北澤 宏一）は平成23年7月20日に、東京工業大学（学長：伊賀 健一）の細野 秀雄 教授らが発明した高性能の薄膜トランジスター（TFT：Thin Film Transistor）に関する特許のライセンス契約を、サムスン電子株式会社（本社：ソウル特別市、代表取締役CEO：崔 志成）と締結した。
細野教授は1995年に、高い電子移動度を備えた「透明アモルファス酸化物半導体（TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors）」の設計指針を提唱し、その後、細野教授自身がリーダーを務めたJST 創造科学技術推進事業（ERATO）および戦略的創造研究推進事業 発展研究（ERATO－SORST）で、TAOSの1つであるIGZO（インジウムIn－ガリウムGa－亜鉛Zn－酸素O）を使ったTFTを室温で作製し、2004年に英国科学雑誌「Nature」で発表した。
IGZOを使ったTFTは、これまでのディスプレイで使用されているアモルファスシリコンに比べて電子移動度が10～20倍程度高いことから約10倍の高解像度化が可能で、さらに既存の材料と比べて低温で、しかも容易に、プラスチックフィルム上でも作製できることから、今後用途が広がるものと期待されている。この論文が契機となって、国内外のディスプレイメーカーなどが相次いで応用研究を開始し、サムスン電子株式会社を始めとした多くの企業から、IGZO TFTを用いた高解像度・3次元・大型液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイなどの試作品が発表されていた。
今回、世界トップのディスプレイメーカーと契約することは、ディスプレイ業界における高解像度・3次元・大型液晶ディスプレイ製品への応用を促すとともに、スマートフォンやタブレット端末に代表される中小型ディスプレイ、さらには、電子ペーパーなどへのIGZO TFTの応用を加速するもので、今後ほかのディスプレイメーカーからも同様の動きが期待される。市場が10兆円規模とも言われる世界のディスプレイ産業へ、日本発の基礎研究の成果が大きなインパクトをもたらすものと期待される。
詳細は最近の研究成果を参照。
