東工大の次世代薄膜素子－サムスンに特許ライセンス（非独占）‐細野秀雄教授
日刊工業新聞 2011年07月21日 朝刊 他
科学技術振興機構（JST）は20日、細野秀雄・東京工業大学教授らが発明した次世代の薄膜トランジスタ（TFT)に関する特許ライセンスについて、韓国サムスン電子と契約に調印した。
このＴＦＴを使用することで、現在主流のアモルファシスシリコンに比べて10倍程度の高解像度のディスプレーが作れる。同社は1年程度をめどに3次元大型液晶ディスプレーなどに次世代TFTを採用して量産していく方針。
ライセンス契約をしたのは、細野教授らがJSTの研究資金で発明した「IGZO(インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素の化合物）」を使ったTFT。IGZOは透明アモルファス酸化物半導体（TAOS)の一つで、2004年に英科学誌ネイチャーに発表された。
プラスチックフィルム上でも容易に作成できるため、スマートフォンやタブレット端末などの中型ディスプレーや電子ペーパーなどへの応用が加速するとみられている。
同ライセンス契約に関する、JSTの発表はこちら。 東工大の発表はこちら。
同ライセンスに関する記事は、日刊工業新聞その他8紙に掲載された。
細野・神谷・平松研究室