高性能黒リントランジスタの開発について掲載されました。（笹川崇男准教授）
日刊工業新聞 2017年03月14日 朝刊27面
日刊工業新聞は3月14日付朝刊27面で、東京大学大学院総合文化研究科の佐藤洋平大学院生、上野和紀准教授らが、笹川崇男准教授と共同で、”ポスト・グラフェン”として注目の厚さ原子数層の黒リンを使った高性能トランジスタを開発したと報じました。黒リンは炭素物質のグラフェンよりバンドギャップ（電子が存在しない領域）が大きく、トランジスタの材料として有望視されています。グラフェンと同様の層状構造を持つ黒リンを使った新規デバイスの実現が見込まれます。
日刊工業新聞電子版にも記事が掲載されました。
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00420780
