―トポロジカル電子状態の設計・制御に新たな道―（笹川崇男准教授）
遷移金属ダイカルコゲナイドで一般原理を発見
―トポロジカル電子状態の設計・制御に新たな道―（笹川崇男准教授）
東京工業大学プレスリリース 2017年12月22日
理化学研究所 創発物性科学研究センター 創発計算物理研究ユニットのバハラミー・モハマド・サイード ユニットリーダー（東京大学 大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター 特任講師）、東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所の笹川崇男准教授、英国セント・アンドルーズ大学のフィリップ・キング准教授らの国際共同研究グループは、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）において、物質表面にスピンの向きがそろったトポロジカルな電子状態や、物質内部全体にグラフェンと同様な質量ゼロのディラック電子状態が発現する際の一般的な原理を発見しました。
本研究は、国際科学雑誌『Nature Materials』（11月27日付：日本時間11月28日）に掲載されました。
詳細は、東工大ニュースをご覧ください。
