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恩賜賞・日本学士院賞を受賞 (細野秀雄教授)

細野秀雄教授が恩賜賞・日本学士院賞を受賞されました。

授賞理由は以下の成果をあげたことによるものです。
第1は鉄系高温超伝導体の発見。磁性元素である鉄は超伝導発現に有害と信じられていましたが、鉄化合物(オキシニクタイド)が高い臨界温度で超伝導を示すことを見出しました。これは銅酸化物超伝導体に匹敵する新大陸となりました。2番目は透明酸化物半導体の分野の開拓で、多くのp/n型、および両極性半導体物質を報告しました。また、透明アモルファス酸化物(TAOS)を設計し、それを薄膜トランジスタ(TFT)に用い、アモルファスシリコンより一桁高い移動度を実現しました。その一つIGZOを用いたTFTは、新型ディスプレイの駆動用に実用化されました。3番目は安定な電子化物の創製と物性の解明です。石灰とアルミナから構成されるC12A7結晶を、絶縁体―金属―超伝導体への変換に成功しました。そして、低仕事関数で化学的不活性という性質を見出し、これを利用し高性能なアンモニア合成触媒を実現しました。

日本学士院の発表はこちら、本学の発表はこちらをご参照ください。



細野研究室

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