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酸化物半導体討論会

開催日時 2015/05/18 10:00~17:30頃
開催場所 東工大すずかけ台キャンパス 元素戦略棟1F会議場
変更の可能性がございますので、参加登録いただいた方には、開催日前にメールでご連絡いたします。
主催応用セラミックス研究所
連絡先神谷利夫 教授
E-mail:tkamiya@msl.titech.ac.jp
備考【申込方法】事前参加登録を必須とさせていただきます。
1.申込ページにアクセスし、フォームにご記入の上、「登録: 確認ページへ」ボタンを押してください。
2.確認ページが表示されますので、間違いがなければ、「登録」ボタンを押してください。
3.ご登録いただいたEMailアドレスに、登録完了の確認メールが届きます。
   以上で参加登録は完了していますので、当日はお名前と登録番号を受付にてお伝えください。 予定にご変更等あります場合は、 神谷利夫(tkamiya@msl.titech.ac.jp)までご連絡ください。

プログラム等

酸化物半導体討論会開催のお知らせ・プログラム(pdf)

時間 講演テーマ 講演者
10:00~10:05 「はじめに」 神谷 利夫 (東工大)
10:05~10:35 「酸化物中の欠陥 (仮)」 神谷 利夫、雲見日出也、
細野秀雄 (東工大)
10:45~11:10 「アモルファスIZO,IGZOの結晶化挙動 (仮)」 重里 有三、賈 軍軍、
須古 彩香 (青山学院大学)
11:20~11:40 「酸化物半導体の酸素による欠陥準位」 井手 啓介、神谷 利夫、
雲見日出也、細野秀雄 (東工大)
11:50~12:15 「新規酸化物半導体TFTの形成及び評価」 松田 時宜、木村 睦 (龍谷大学)
12:15~13:30 昼食
13:30~14:00 「フッ素によるIGZO薄膜トランジスタの欠陥終端と信頼性改善効果」 古田 守、Jingxin JIANG、
王 大鵬 (高知工科大学)
14:10~14:40 「酸化物半導体TFTの信頼性向上技術」 浦岡 行治
(奈良先端科学技術大学院大学)
14:50~15:10 「AOS 分析から見えてくること (仮)」 井上 敬子
((株)東レリサーチセンター)
15:10~15:40 休憩
15:40~16:00 「プラズマ支援反応性スパッタ製膜プロセスによるIGZO薄膜デバイス低温形成」 節原裕一、陶山悠太郎、
中田 慶太郎、竹中弘祐、
内田 儀 一郎、江部明憲*
(大阪大学接合科学研究所、
* 株式会社イー・エム・ディー)
16:10~16:30 「大型スパッタカソードにおけるIGZO膜の均一性向上」 小林 大士 (株式会社アルバック)
16:40~17:05 「AOSデバイスの新規回路・アプリケーション応用」 木村 睦 (龍谷大学)
17:05~17:30 「総合討論」 総合司会: 神谷 利夫 (東工大)

 

 

 

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